美情报某处资助法国公司研究磁阻随机存储器

　　中新网4月11日电 据中国国防科技信息网报道，美国情报先期研究计划处(IARPA)与法国Crocus公司位于美国加利福尼亚州圣克拉拉的分公司签订研发合同，IARPA将资助Crocus公司开展每单元可存储8比特数据的磁阻随机存储器(MRAM)的研究。合同金额尚未透露。

　　Crocus公司2006年成立于法国格勒诺布尔市。2011年，该公司与俄罗斯纳米集团公司(RUSNANO)签署合作协议，共同在俄罗斯建立合资企业发展纳米技术，俄罗斯政府共投入300万美元。

　　IARPA主要投资可为美国情报发展带来重大价值的高风险、高回报项目，此次签署的合同是每单元多比特存储技术项目的第一阶段，并计划在一年内完成。

　　依据合同，Crocus公司将对其研发的磁性逻辑单元(MLU)架构进行拓展，以超越每个存储单元所能存储比特数的最高水平。Crocus公司称，通过此项研究，每比特写入功耗将低于其他存储器技术，包括动态随机存储器(DRAM)、闪存、静态随机存储器(SRAM)和传统MRAM等。

　　未来，每单元8比特存储器技术将用于芯片安全提升和密码处理器中，将增加黑客使用已知加密破解方法获取MRAM密钥的难度。

　　Crocus公司计划通过结合轴向感应矩(AIM)技术和多结磁隧道结(MJM)技术实现每单元8比特数据的存储。AIM技术使用磁矩的可变角对磁性单元的二级制数据进行编码，Crocus公司使用16个可变角可实现每AIM单元4比特数据的存储。MJM技术可利用一个MLU中堆叠的两个隧道势垒。通过AIM/MJM技术的结合，在MJM两个独立存储层中，每一层都支持旋转的AIM向量存储，并达到16种状存储状态；两层总共有256种存储状态，实现每单元8比特的存储能力。

　　Crocus公司系统策略和产品研发部副总裁道格拉斯-李说：“AIM和MJM是Crocus公司MLU架构中具有突破性的结构，可带来多达每单元8比特的存储能力。现阶段具有最先进存储能力的非易失性存储器是与非(NAND)闪存，每单元可存储3-4比特，但已达到浮栅存储器的物理极限，而MRAM现阶段只能实现每单元1比特的存储。”

　　Crocus公司执行主席波兰特说：“Crocus公司的多比特MLU架构提供了全新、独特的应用。这些新的应用对器件安全具有特殊意义，特别是对防篡改和授权认证应用提供了前所未有的能力。该多比特存储器技术可使用现有光刻制造工艺，并在200℃温度下运行。” (张倩）